對SICK傳感器的過載后果進行保護方法您必懂？
SICK傳感器有很多參數指標，其中有一項是過載保護，過載就是負荷過大，超過了設備本身的額定負載，產生的現象是電流過大，用電設備發熱，線路長期過載會降低線路緣水平，甚燒毀SICK傳感器設備或線路；過載保護就是即使負荷超過了額定負載也不會出現燒壞線路的情況，但是也有一個度，一般是150%的范圍內，而且不能持續過載工作。
過載保護是每種SICK傳感器都要考慮的，因為在過程中可能會出現測量值大于量程的情況，只有設計了過載保護的傳感器才能更好的，也才能得更久。具體每種傳感器的過載保護是如何設計的，過載范圍是多少都是不同的，所以不管是買哪種傳感器一定要了解它的過載保護是多少，這樣才能更好的方便，在未來過程中也不會出現由于過載燒壞電路的情況。以上便是為大家介紹壓力傳感器的過載后果和保護方法。
壓力SICK傳感器有很多形式，每種結構形式的過載保護設計方法也是各不相同的，眾多方法都有各自的和缺點，采用MEMS 技術的小量程、高靈敏壓力傳感器通常有平膜、島膜、梁膜等結構，在設計過載保護時，一般采用凸臺等方法實現，形成方法有背部刻蝕技術、硅直接鍵合技術、玻璃刻蝕技術等。然而這些結構一般都有一個很大的局限性就是腔體尺寸較大，進一步提高靈敏度受到限制，而且降低了硅片利用率，增加了制造工藝的復雜度，提高了成本。
目前，小量程、高靈敏壓力傳感器的研究熱點集中在犧牲層結構壓力傳感器，這主要是因為犧牲層結構SICK傳感器彈性膜片很薄，厚度可做到2 μm，甚更薄。在這樣薄的結構上，如果采用擴散硅或多晶硅薄膜作為犧牲層結構SICK傳感器的應變電阻，其厚度相對較大，對彈性膜片應力分布影響很大，不利于犧牲層結構壓力傳感器的優化，因此采用多晶硅納米薄膜制作應變電阻更能發揮犧牲層技術的。